最早的3DNAND要追溯到2007年东芝的一次发布，而真正将3DNAND商业化应用的其实是三星在2013年的发布，从2013年起，3DNAND作为最具突破性的技术开始推向市场，揭开了闪存介质容量提升的新时代。

从2D到3D的变化，为闪存容量提升带来新变数，从2D平房到3D楼房的演进下，层的概念成为介质进化的新标准。也是从 3D NAND 开始，制程工艺的演进显得并不那么重要了。

从最初的32层开始，到64层大约经过了三四年的时间，2019年前后，96 层NAND开始出现，2020年进入200+层时代，从128层开始，3DNAND告别了32 整数倍的演进，开始出现162、176层的差别。

高层堆叠的NAND技术推动了容量发展和闪存普及的步伐，让闪存在更多场景得到应用，在一定程度上，是3DNAND的出现拉开了闪存普及的大幕。3DNAND颗粒层数不断推高，GB/$成本势必会不断降低，缩短闪存SSD和磁盘的差价，但从市场的演进看，闪存SSD成本是在逐步降低，但是速度不如预期，究其原因和产能、良品率等很多因素有关。如今，闪存SSD产能被少数品牌把持，受产能限制，大幅度降价未必符合这些厂商的利益，从这个意义上，中国元素的崛起，符合全球市场的利益。

3D NAND的堆叠技术方案有两大派系，一种是浮栅技术（Floating gate），另外一种是电荷撷取（Charge Trap）技术。

浮栅技术的上下单元之间是分离的，而电荷撷取技术上下层之间是连通的，两者都是几十层水平时，差异不大，当变为几百层之后，采用电荷撷取技术的NAND上下电荷之间会发生串扰，造成数据不可靠。而浮栅技术虽然工艺更复杂一些，但是在数据保留方面更可靠一些，浮栅技术在层数发展上更有前景。

来源：百易传媒

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